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器件3D模型
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STGW45HF60WDI 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-247-3
描述:
STGW45HF60WDI 系列 600 V 45 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-247
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGW45HF60WDI 数据手册 (16 页)
封装尺寸
在
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STGW45HF60WDI 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
250000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
90 ns
额定功率(Max)
250 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250000 mW
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STGW45HF60WDI 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGW45HF60WDI 符合标准
STGW45HF60WDI 海关信息
STGW45HF60WDI 概述
●
IGBT - 600 V 70 A 250 W 通孔 TO-247 长引线
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STGW45HF60WDI 数据手册
STGW45HF60WDI
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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STGW45HF60 数据手册
STGW45HF60
WD
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
STGW45HF60
WDI
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ST Microelectronics(意法半导体)
STGW45HF60WDI 系列 600 V 45 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-247
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