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STGW60H65DFB-4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-247-4

描述:

单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STGW60H65DFB-4 数据手册 (15 页)

STGW60H65DFB-4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

TO-247-4

针脚数

4 Position

功耗

375 W

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

反向恢复时间

60 ns

额定功率(Max)

375 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375000 mW

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STGW60H65DFB-4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGW60H65DFB-4 符合标准

STGW60H65DFB-4 概述

STGW60H65DFB-4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 1.02 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 1.53 MByte

STGW60H65DFB-4 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.9 MByte

STGW60H65DFB-4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.11 MByte

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