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STGW60H65FB 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

HB 系列 650 V 60 A 高速沟槽栅场截止 IGBT - TO-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGW60H65FB 数据手册 (16 页)

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STGW60H65FB 数据手册 (16 页)

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STGW60H65FB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

功耗

375 W

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

额定功率(Max)

375 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

375000 mW

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STGW60H65FB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGW60H65FB 符合标准

STGW60H65FB 海关信息

STGW60H65FB 概述

STGW60H65FB 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 1.19 MByte

STGW60H65FB 其他数据使用手册

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STGW60H65FB 产品修订记录

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