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器件3D模型
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STGWT40H65DFB 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-3-3
描述:
HB 系列 650 V 40 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-3P
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGWT40H65DFB 数据手册 (19 页)
封装尺寸
在
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13 页
14 页
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STGWT40H65DFB 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
功耗
283 W
输入电容
5412 pF
击穿电压(集电极-发射极)
650 V
热阻
50 ℃/W
反向恢复时间
62 ns
额定功率(Max)
283 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
283 W
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STGWT40H65DFB 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
高度
20.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STGWT40H65DFB 符合标准
STGWT40H65DFB 海关信息
STGWT40H65DFB 概述
●
IGBT 分立,STMicroelectronics
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STGWT40H65DFB
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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STGWT40H65 数据手册
STGWT40H65
FB
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
STGWT40H65
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ST Microelectronics(意法半导体)
HB 系列 650 V 40 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-3P
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