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STGYA120M65DF2AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-247-3

描述:

单晶体管, IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STGYA120M65DF2AG 数据手册 (60 页)

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STGYA120M65DF2AG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

功耗

625 W

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

反向恢复时间

202 ns

额定功率(Max)

625 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625000 mW

STGYA120M65DF2AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STGYA120M65DF2AG 符合标准

STGYA120M65DF2AG 海关信息

STGYA120M65DF2AG 概述

STGYA120M65DF2AG 数据手册

STGYA120M65DF2AG 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STGYA120M65DF2AG 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

35 页 / 2.4 MByte

STGYA120M65DF2AG 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.73 MByte

STGYA120M65DF2AG 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STGYA120M65DF2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STGYA120M65DF2AG 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

单晶体管, IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 引脚

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