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STH315N10F7-2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STH315N10F7-2 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STH315N10F7-2 数据手册 (19 页)

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STH315N10F7-2 数据手册 (19 页)

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STH315N10F7-2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0021 Ω

极性

N-Channel

功耗

315 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

180A

上升时间

108 ns

输入电容值(Ciss)

12800pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

315W (Tc)

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STH315N10F7-2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STH315N10F7-2 符合标准

STH315N10F7-2 概述

STH315N10F7-2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.11 MByte

STH315N10F7-2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.7 MByte

STH315N10F7-2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.1 MByte

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STH315N10F7-6 数据手册

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STMICROELECTRONICS STH315N10F7-6 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3.5 V

STH315N10F7-2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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