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STH3N150-2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STH3N150-2 数据手册 (24 页)

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STH3N150-2 数据手册 (24 页)

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STH3N150-2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

6 Ω

极性

N-Channel

功耗

140 W

阈值电压

4 V

输入电容

939 pF

漏源极电压(Vds)

1.5 kV

上升时间

47 ns

输入电容值(Ciss)

939pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

140 W

下降时间

61 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

140W (Tc)

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STH3N150-2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

15.8 mm

高度

4.8 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STH3N150-2 符合标准

STH3N150-2 海关信息

STH3N150-2 概述

STH3N150-2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1 MByte

STH3N150-2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.62 MByte

STH3N150-2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1 MByte

STH3N150-2 产品修订记录

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5 页 / 0.04 MByte

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