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器件3D模型
¥ 1.374
STL15DN4F5 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
PowerVDFN-8
描述:
STMICROELECTRONICS STL15DN4F5 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 40 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STL15DN4F5 数据手册 (18 页)
封装尺寸
在
9 页
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STL15DN4F5 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerVDFN-8
通道数
2 Channel
针脚数
5 Position
漏源极电阻
0.008 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
60 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
60A
上升时间
45 ns
输入电容值(Ciss)
1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
60 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60 W
查看数据手册 >
STL15DN4F5 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
4.75 mm
宽度
5.75 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >
STL15DN4F5 符合标准
STL15DN4F5 概述
●
N 通道 STripFET™ 双 MOSFET,STMicroelectronics
●
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STL15DN4F5 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 40 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V
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