￥ 0.087

STL4N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerFLAT-8

描述:

N 沟道 100 V 4.5A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL4N10F7 数据手册 (12 页)

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STL4N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerFLAT-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

70 mΩ

极性

N-CH

功耗

35.7 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

408pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

2.9 W

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.9W (Ta), 50W (Tc)

STL4N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STL4N10F7 符合标准

STL4N10F7 海关信息

STL4N10F7 数据手册

STL4N10F7 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.51 MByte

STL4N10F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.87 MByte

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STL4N10F7 数据手册

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N 沟道 100 V 4.5A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3

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