￥ 0.439

STL50DN6F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

晶体管

封装:

PowerVDFN-8

描述:

STL50DN6F7 系列 60V 11 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet - PowerFlat-5x6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STL50DN6F7 数据手册 (24 页)

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STL50DN6F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerVDFN-8

极性

N-CH

功耗

62500 mW

输入电容

1035 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

57A

上升时间

15.3 ns

输入电容值(Ciss)

1035pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

62.5 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

62500 mW

STL50DN6F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STL50DN6F7 符合标准

STL50DN6F7 数据手册

STL50DN6F7 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.51 MByte

STL50DN6F7 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.45 MByte

STL50DN6F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.85 MByte

STL50DN6 数据手册

STL50DN6F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STL50DN6F7 系列 60V 11 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet - PowerFlat-5x6

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