￥ 1.751

STP10NK70Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道700V - 0.75ヘ - 8.6A - TO220 - TO220FP齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 700V - 0.75ヘ - 8.6A - TO220-TO220FP Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP10NK70Z 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STP10NK70Z 数据手册 (13 页)

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STP10NK70Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

700 V

额定电流

8.60 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

850 mΩ

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

700 V

漏源击穿电压

700 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.60 A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

2000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STP10NK70Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP10NK70Z 符合标准