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STP12N120K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 0.62 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP12N120K5 数据手册 (21 页)

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STP12N120K5 数据手册 (21 页)

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STP12N120K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.62 Ω

功耗

250 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

1200 V

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1370pF @100V(Vds)

下降时间

18.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

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STP12N120K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP12N120K5 符合标准

STP12N120K5 概述

STP12N120K5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.78 MByte

STP12N120K5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 0.58 MByte

STP12N120K5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.11 MByte

STP12N120 数据手册

STP12N120K5 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 0.62 ohm, 10 V, 4 V

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