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STP12N65M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP12N65M2 数据手册 (13 页)

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STP12N65M2 技术参数、封装参数

类型

描述

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

535pF @100V(Vds)

下降时间

13.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

85000 mW

STP12N65M2 符合标准

STP12N65M2 数据手册

STP12N65M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.59 MByte

STP12N65M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.85 MByte

STP12N65 数据手册

STP12N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP12N65M2 数据手册

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