￥ 2.398

STP12NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP12NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP12NK80Z 数据手册 (22 页)

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STP12NK80Z 数据手册 (22 页)

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STP12NK80Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

10.5 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

750 mΩ

极性

N-Channel

功耗

190 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.5 A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

2620pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

190 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190000 mW

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STP12NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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STP12NK80Z 符合标准

STP12NK80Z 概述