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STP14NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP14NK60Z 数据手册 (19 页)

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STP14NK60Z 数据手册 (19 页)

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STP14NK60Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

13.5 A

封装

TO-220-3

额定功率

160 W

漏源极电阻

500 mΩ

极性

N-Channel

功耗

160W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

13.5 A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

2220pF @25V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

160W (Tc)

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STP14NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP14NK60Z 符合标准

STP14NK60Z 概述