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STP17N62K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

620V,15.5A,N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP17N62K3 数据手册 (17 页)

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STP17N62K3 数据手册 (17 页)

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STP17N62K3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

190 W

漏源极电压(Vds)

620 V

上升时间

29 ns

输入电容值(Ciss)

2500pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

190 W

下降时间

62 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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STP17N62K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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STP17N62K3 符合标准

STP17N62K3 海关信息

STP17N62K3 概述

STP17N62K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STP17N62K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

620V,15.5A,N沟道MOSFET

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