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STP180N10F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道100 V， 4.0毫欧， 120一个的STripFET ？功率MOSFET D2PAK ， TO- 220 N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A STripFET? Power MOSFET D2PAK, TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP180N10F3 数据手册 (13 页)

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STP180N10F3 数据手册 (13 页)

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STP180N10F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

功耗

315 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

97.1 ns

输入电容值(Ciss)

6665pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

315 W

下降时间

6.9 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

315W (Tc)

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STP180N10F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP180N10F3 符合标准

STP180N10F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STP180N10 数据手册

STP180N10F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100 V， 4.0毫欧， 120一个的STripFET ？功率MOSFET D2PAK ， TO- 220 N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A STripFET? Power MOSFET D2PAK, TO-220

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