￥ 0

STP180N55 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-220

描述:

N沟道55V - 2.9米欧姆 - 120A - D- 2 PAK - TO- 220的MDmesh -TM低电压功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 2.9m-ohm - 120A - D-2 PAK - TO-220 MDmesh-TM Low Voltage Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP180N55 数据手册 (11 页)

STP180N55 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

120A

查看数据手册 >

STP180N55 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

查看数据手册 >

STP180N55 符合标准

STP180N55 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

11 页 / 0.15 MByte

STP180 数据手册

STP180N10F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100 V， 4.0毫欧， 120一个的STripFET ？功率MOSFET D2PAK ， TO- 220 N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A STripFET? Power MOSFET D2PAK, TO-220

STP180N55F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP180NS04ZC 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道钳位3.5毫欧 - 120 A TO -220完全保护SAFeFET ™功率MOSFET N-channel clamped 3.5 mΩ - 120 A TO-220 fully protected SAFeFET™ Power MOSFET

STP180N55 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道55V - 2.9米欧姆 - 120A - D- 2 PAK - TO- 220的MDmesh -TM低电压功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 2.9m-ohm - 120A - D-2 PAK - TO-220 MDmesh-TM Low Voltage Power MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号