￥ 1.997

STP180NS04ZC 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道钳位3.5毫欧 - 120 A TO -220完全保护SAFeFET ™功率MOSFET N-channel clamped 3.5 mΩ - 120 A TO-220 fully protected SAFeFET™ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP180NS04ZC 数据手册 (14 页)

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STP180NS04ZC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

33 V

上升时间

250 ns

输入电容值(Ciss)

4560pF @25V(Vds)

下降时间

115 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

330W (Tc)

STP180NS04ZC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP180NS04ZC 符合标准

STP180NS04ZC 数据手册

STP180NS04ZC 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.77 MByte

STP180NS04 数据手册

STP180NS04ZC 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道钳位3.5毫欧 - 120 A TO -220完全保护SAFeFET ™功率MOSFET N-channel clamped 3.5 mΩ - 120 A TO-220 fully protected SAFeFET™ Power MOSFET

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