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STP185N10F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道100 V， 4.0毫欧， 120 A， D2PAK ， TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP185N10F3 数据手册 (12 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

STP185N10F3 数据手册 (12 页)

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STP185N10F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

300W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

120A

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STP185N10F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP185N10F3 符合标准

STP185N10F3 概述

STP185N10F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STP185N10 数据手册

STP185N10F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100 V， 4.0毫欧， 120 A， D2PAK ， TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET

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