￥ 0

STP200N4F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

40V,120A,N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP200N4F3 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STP200N4F3 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STP200N4F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

300W (Tc)

漏源极电压(Vds)

40 V

上升时间

180 ns

输入电容值(Ciss)

5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

查看数据手册 >

STP200N4F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

STP200N4F3 符合标准

STP200N4F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.4 MByte

STP200N4 数据手册

STP200N4F3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

40V,120A,N沟道MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号