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STP20NM50FP
1.323
STP20NM50FP 数据手册 (14 页)
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STP20NM50FP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
550 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
45 W
阈值电压
4 V
输入电容
1.48 nF
栅电荷
56.0 nC
漏源极电压(Vds)
550 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
1480pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
8.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)

STP20NM50FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
16.4 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

STP20NM50FP 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.3 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STP20NM50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.22W - 20A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK FDmesh⑩功率MOSFET (具有快速二极管) N-CHANNEL 500V - 0.22W - 20A TO-220/TO-220FP/D2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET (with FAST DIODE)
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.20ohm - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET
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