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STP24N60M6
1.681
STP24N60M6 数据手册 (30 页)
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STP24N60M6 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.19 Ω
功耗
130 W
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
960pF @100V(Vds)
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
130000 mW

STP24N60M6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube

STP24N60M6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

STP24N60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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STP24N60DM2 系列 600 V 0.2 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率 Mosfet - TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 V, 0.19 ohm, 10 V
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