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STP2NA50
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STP2NA50 数据手册 (6 页)
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STP2NA50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
2.8A

STP2NA50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

STP2NA50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.09 MByte

STP2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP28NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NM60FP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NM60FD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP22NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP24NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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