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STP315N10F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP315N10F7 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP315N10F7 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STP315N10F7 数据手册 (13 页)

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STP315N10F7 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0023 Ω

极性

N-Channel

功耗

315 W

阈值电压

3.5 V

输入电容

12800 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

180A

上升时间

108 ns

输入电容值(Ciss)

12800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

315 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

315W (Tc)

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STP315N10F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP315N10F7 符合标准

STP315N10F7 海关信息

STP315N10F7 概述

STP315N10F7 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.79 MByte

STP315N10F7 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.54 MByte

STP315N10F7 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STP315N10 数据手册

STP315N10F7 数据手册

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