STP35NF10

￥ 0.994

STP35NF10 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP35NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 35 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP35NF10 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STP35NF10 数据手册 (14 页)

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STP35NF10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

40.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.035 Ω

极性

N-Channel

功耗

115 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

1550pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

115 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

115W (Tc)

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STP35NF10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP35NF10 符合标准

STP35NF10 海关信息

STP35NF10 概述

STP35NF10 数据手册

STP35NF10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.4 MByte

STP35NF10 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 2.6 MByte

STP35NF10 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.21 MByte

STP35NF10 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.16 MByte

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