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STP36NE06
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STP36NE06 数据手册 (9 页)
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STP36NE06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
36.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
32 mΩ
极性
N-Channel
功耗
100 W
输入电容
2.80 nF
栅电荷
70.0 nC
漏源极电压(Vds)
60.0 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
36.0 A
上升时间
85 ns
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

STP36NE06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm

STP36NE06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.1 MByte

STP36 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP36NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP36NF06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.032ohm - 36A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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