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STP45NE06
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STP45NE06 数据手册 (6 页)
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STP45NE06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
漏源极电阻
22.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
100W (Tc)
输入电容
3.60 nF
栅电荷
80.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
45.0 A
输入电容值(Ciss)
3600pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
100W (Tc)

STP45NE06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
175℃ (TJ)

STP45NE06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.09 MByte

STP45 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP45NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP45N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
车规级 N沟道 400V 38A
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.022ohm - 45A - TO- 220 / TO- 220FP STripFETO功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.022ohm - 45A - TO-220/TO-220FP STripFETO POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.014ohm - 45A TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOS晶体管 N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO-220/TO-220FI POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.022ohm - 38A TO- 220 / D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 / D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.014ohm - 45A TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET
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