￥ 0

STP50N06L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP50N06L 数据手册 (10 页)

原理图在1 页

STP50N06L 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STP50N06L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

漏源极电阻

28.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

150 W

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

查看数据手册 >

STP50N06L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

查看数据手册 >

STP50N06L 符合标准

STP50N06L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.19 MByte

STP50N06 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STP50N06FI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STP50N06L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

STP50N06LFI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号