￥ 0

STP50NE10 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP50NE10 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STP50NE10 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STP50NE10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

50.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

27.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

180W (Tc)

输入电容

6.00 nF

栅电荷

166 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

输入电容值(Ciss)

6000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

180W (Tc)

查看数据手册 >

STP50NE10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

175℃ (TJ)

查看数据手册 >

STP50NE10 符合标准

STP50NE10 概述

STP50NE10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.25 MByte

STP50 数据手册

STP50NF25 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics

STP50NE10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET

STP50NE08 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

STP50NE10L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO- 220的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET

STP50N06FI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STP50N06L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

STP50N06 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STP50N06LFI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号