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STP50NE10L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO- 220的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP50NE10L 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STP50NE10L 数据手册 (8 页)

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STP50NE10L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

漏源极电阻

20.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

150 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

105 ns

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

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STP50NE10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

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STP50NE10L 符合标准

STP50NE10L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STP50NE10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021з - 50A TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET

STP50NE10L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO- 220的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.020ohm - 50A TO-220 STripFET POWER MOSFET

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