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STP76NF75
1.279
STP76NF75 数据手册 (15 页)
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STP76NF75 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
3700pF @25V(Vds)
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

STP76NF75 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP76NF75 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.74 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
163 页 / 1.78 MByte

STP76 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
75V,9.5mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
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