Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STP85NF55L Datasheet 文档
STP85NF55L
0.309
STP85NF55L 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STP85NF55L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.006 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55.0 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
80.0 A
上升时间
165 ns
输入电容值(Ciss)
4050pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
55 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

STP85NF55L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP85NF55L 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.9 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

STP85NF55 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP85NF55  场效应管, MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 0.0060欧姆 - 80A D2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0060 ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z