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器件3D模型
¥ 0.58
STP95N3LLH6 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
STMICROELECTRONICS STP95N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
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封装尺寸
在
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STP95N3LLH6 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0042 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
91 ns
输入电容值(Ciss)
2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
23.4 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)
查看数据手册 >
STP95N3LLH6 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
175℃ (TJ)
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STP95N3LLH6 符合标准
STP95N3LLH6 概述
●
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
●
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●
### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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