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STP9NK60ZD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道600 V - 0.85ヘ - 7 A - D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 SuperFREDMesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.85 ヘ - 7 A - D2PAK, TO-220FP, TO-220 SuperFREDMesh⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP9NK60ZD 数据手册 (16 页)

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STP9NK60ZD 数据手册 (16 页)

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STP9NK60ZD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

600 V

额定电流

7.00 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

950 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

7.00 A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

1110pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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STP9NK60ZD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP9NK60ZD 符合标准

STP9NK60ZD 概述