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器件3D模型
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STPSC4H065B-TR 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
肖特基二极管
封装:
TO-252-3
描述:
STMICROELECTRONICS STPSC4H065B-TR 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 12.5 nC, TO-252
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STPSC4H065B-TR 数据手册 (12 页)
封装尺寸
在
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STPSC4H065B-TR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
正向电压
1.75V @4A
反向恢复时间
0 ns
正向电流
4 A
最大正向浪涌电流
200 A
正向电压(Max)
1.75 V
正向电流(Max)
4 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
工作结温
-40℃ ~ 175℃
工作结温(Max)
175 ℃
查看数据手册 >
STPSC4H065B-TR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
高度
2.4 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃
查看数据手册 >
STPSC4H065B-TR 符合标准
STPSC4H065B-TR 海关信息
STPSC4H065B-TR 数据手册
STPSC4H065B-TR
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.18 MByte
STPSC4H065B-TR
产品设计参考手册
ST Microelectronics(意法半导体)
68 页 / 3.38 MByte
STPSC4H065B-TR
其他数据使用手册
ST Microelectronics(意法半导体)
28 页 / 1.28 MByte
STPSC4H065B-TR
开发手册
ST Microelectronics(意法半导体)
26 页 / 2.4 MByte
STPSC4H065B-TR
产品修订记录
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.04 MByte
STPSC4H065 数据手册
STPSC4H065
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STPSC4H065
D
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STPSC4H065D 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 12.5 nC, TO-220AC
STPSC4H065
B-TR
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STPSC4H065B-TR 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 12.5 nC, TO-252
STPSC4H065
DI
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
SiC) 肖特基二极管,STMicroelectronics碳化硅 (SiC) 二极管是超高性能功率肖特基二极管。 关闭时不显示恢复,且圆环图案可忽略。 最小电容性关闭行为与温度无关。### 二极管和整流器,STMicroelectronics
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