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STPSC606G-TR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

肖特基二极管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STPSC606G-TR 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 600V系列, 单, 600 V, 6 A, 6 nC, TO-263

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STPSC606G-TR 数据手册 (8 页)

封装尺寸在5 页 6 页

STPSC606G-TR 数据手册 (8 页)

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STPSC606G-TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

正向电压

1.7V @6A

热阻

2.8℃/W (RθJC)

反向恢复时间

0 ns

正向电流

6 A

最大正向浪涌电流

110 A

正向电压(Max)

2.1 V

正向电流(Max)

6 A

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

工作结温(Max)

175 ℃

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STPSC606G-TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.35 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃

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STPSC606G-TR 符合标准

STPSC606G-TR 海关信息

STPSC606G-TR 概述

STPSC606G-TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.09 MByte

STPSC606G-TR 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

STPSC606G-TR 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

43 页 / 2.08 MByte

STPSC606G-TR 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

53 页 / 4.73 MByte

STPSC606G-TR 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STPSC606 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

600 V功率肖特基碳化硅二极管 600 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC606D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STPSC606D 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 600V系列, 单, 600 V, 6 A, 6 nC, TO-220AC

STPSC606G-TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STPSC606G-TR 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 600V系列, 单, 600 V, 6 A, 6 nC, TO-263

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