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STQ1NC45R-AP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

N沟道450V - 4.1Ω - 1.5A - IPAK - TO- 92超网™功率MOSFET N-channel 450V - 4.1ヘ - 1.5A - IPAK - TO-92 SuperMESH⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STQ1NC45R-AP 数据手册 (15 页)

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STQ1NC45R-AP 数据手册 (15 页)

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STQ1NC45R-AP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-92-3

功耗

3.1 W

漏源极电压(Vds)

450 V

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

160pF @25V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Tc)

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STQ1NC45R-AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STQ1NC45R-AP 符合标准

STQ1NC45R-AP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STQ1NC45 数据手册

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N沟道450V - 4.1ohm - 1.5 IPAK / TO- 92 SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 1.5 A IPAK / TO-92 SuperMESH⑩Power MOSFET

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N沟道450V 1.5A 4.1OHM DPAK / IPAK / TO- 92超网功率MOSFET N-CHANNEL 450V 4.1OHM 1.5A DPAK/IPAK/TO-92 SUPERMESH POWER MOSFET

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