器件3D模型

￥ 0.657

STS10N3LH5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Î©, 10 A, SO-8 STripFETâ¢ V Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STS10N3LH5 数据手册 (13 页)

封装尺寸在10 页 11 页

STS10N3LH5 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STS10N3LH5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

功耗

2500 mW

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

475pF @25V(Vds)

下降时间

2.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Tc)

查看数据手册 >

STS10N3LH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STS10N3LH5 符合标准

STS10N3LH5 概述

STS10N3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.75 MByte

STS10N3 数据手册

STS10N3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Î©, 10 A, SO-8 STripFETâ¢ V Power MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号