器件3D模型

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STS10PF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道30V - 0.012Ohm - 10A型SO-8的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.012Ohm - 10A SO-8 STripFET II POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STS10PF30L 数据手册 (9 页)

原理图在1 页

STS10PF30L 数据手册 (9 页)

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STS10PF30L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-10.0 A

封装

SOIC-8

漏源极电阻

14.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

上升时间

87 ns

输入电容值(Ciss)

2300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Tc)

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STS10PF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STS10PF30L 符合标准