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STS5N15F3
器件3D模型
1.206
STS5N15F3 数据手册 (12 页)
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STS5N15F3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
5A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Tc)

STS5N15F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STS5N15F3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.55 MByte

STS5N15 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道150 V, 0.057Î © , 5 A, SO - 8 STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150 V, 0.057Ω, 5 A, SO-8 STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道150V - 0.045欧姆 - 5A SO- 8低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 150V - 0.045 OHM - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
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