器件3D模型

￥ 0.466

STS5P3LLH6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STS5P3LLH6 数据手册 (16 页)

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STS5P3LLH6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

48 mΩ

极性

P-CH

功耗

2.7 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

639pF @25V(Vds)

下降时间

3.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.7W (Ta)

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STS5P3LLH6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STS5P3LLH6 符合标准

STS5P3LLH6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.5 MByte

STS5P3LLH6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.54 MByte

STS5P3LLH6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.52 MByte

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