器件3D模型

￥ 0.383

STS8C5H30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

STMICROELECTRONICS STS8C5H30L 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STS8C5H30L 数据手册 (9 页)

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STS8C5H30L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电流

8.00 A

封装

SOIC-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

1.6 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A, 4.20 A

上升时间

35.0 ns

输入电容值(Ciss)

857pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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STS8C5H30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STS8C5H30L 符合标准

STS8C5H30L 海关信息