器件3D模型

￥ 1.883

STS9NF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N沟道30V - 0.015欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STS9NF30L 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STS9NF30L 数据手册 (8 页)

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STS9NF30L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

9.00 A

封装

SOIC-8

漏源极电阻

15.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.5W (Tc)

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±18.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

80.0 ns

输入电容值(Ciss)

730pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

耗散功率(Max)

2.5W (Tc)

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STS9NF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

150℃ (TJ)

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STS9NF30L 符合标准