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STT818B 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-6

描述:

高增益低电压PNP功率晶体管 HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STT818B 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

STT818B 数据手册 (10 页)

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STT818B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-3.00 A

封装

SOT-23-6

极性

PNP

功耗

1.2 W

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

100 @500mA, 1V

额定功率(Max)

1.2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1200 mW

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STT818B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STT818B 符合标准

STT818B 海关信息

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