￥ 0.243

STU6N62K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

N沟道620 V， 0.95 I© （典型值）， 5.5 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ， IPAKFP ， IPAK ， TO- 220 ， IPAK包 N-channel 620 V, 0.95 Î© typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packages

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STU6N62K3 数据手册 (19 页)

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STU6N62K3 数据手册 (19 页)

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STU6N62K3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.95 Ω

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

620 V

上升时间

12.5 ns

输入电容值(Ciss)

875pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STU6N62K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.4 mm

高度

6.2 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STU6N62K3 符合标准