￥ 3.732

STW18NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道600V - 0.27з - 16A TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.27з - 16A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW18NK60Z 数据手册 (9 页)

原理图在1 页

STW18NK60Z 数据手册 (9 页)

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STW18NK60Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

600 V

额定电流

16.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

360 mΩ

极性

N-Channel

功耗

230W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

16.0 A

上升时间

25.5 ns

输入电容值(Ciss)

3540pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

230 W

耗散功率(Max)

230W (Tc)

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STW18NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW18NK60Z 符合标准

STW18NK60Z 概述

STW18NK60Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.21 MByte

STW18NK60 数据手册

STW18NK60Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.27з - 16A TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.27з - 16A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

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