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STW18NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STW18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW18NM60N 数据手册 (2 页)

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STW18NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.26 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

13A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1000pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STW18NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW18NM60N 符合标准

STW18NM60N 概述

STW18NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

2 页 / 0.07 MByte

STW18NM60N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

32 页 / 0.51 MByte

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