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STW26NM50 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW26NM50 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STW26NM50 数据手册 (12 页)

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STW26NM50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.12 Ω

极性

N-Channel

功耗

313 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

3000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

313 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

313W (Tc)

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STW26NM50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STW26NM50 符合标准

STW26NM50 海关信息

STW26NM50 概述

STW26NM50 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.54 MByte

STW26NM50 其他数据使用手册

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17 页 / 0.18 MByte

STW26NM50 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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1 页 / 0.12 MByte

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