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STW40N95K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 950 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW40N95K5 数据手册 (13 页)

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STW40N95K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.11 Ω

极性

N-CH

功耗

450 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

950 V

连续漏极电流(Ids)

38A

上升时间

51 ns

输入电容值(Ciss)

3300pF @100V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

450W (Tc)

STW40N95K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW40N95K5 符合标准

STW40N95K5 概述

STW40N95K5 数据手册

STW40N95K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.74 MByte

STW40N95K5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STW40N95 数据手册

STW40N95K5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 950 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V

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